*部分
液體
液樣的制備是將少量樣品涂于兩片紅外透明的窗片（KBr、NaCl等）之間。窗片的互相擠壓形成一個樣品薄層，樣品的成分決定了選擇哪種窗片。對于無水的樣品，窗片材料是KBr。對于含水樣品, KRS-5 較為適合。
固體
固體樣品對光譜學家提出挑戰(zhàn)。樣品的熔點為我們指出首先該考慮哪種技術(shù)。
對于熔點低于72。C的樣品，用適當?shù)娜軇悠啡芙猓赡び贙Br窗片上是zui先考慮的。如果因為基線不好或是溶解性差而不成功，可以考慮在兩片KBr窗片內(nèi)熔化成膜。如果這也不行，樣品可進行KBr壓片。
對于熔點高于72。C的樣品，的技術(shù)是KBr壓片。對于聚合物樣品，成膜法是，接著是熱熔法和壓片法。
對于熔點未知的樣品，結(jié)晶度的檢測將會指明哪種技術(shù)將會成功。高結(jié)晶度的樣品用KBr壓片法較好，對于低結(jié)晶度的樣品，成膜和熱熔會得到更好的譜圖。
第二部分
液體樣品
液體樣品的分析有多種方法。在本文中，我們主要探討所使用的制樣方法及一些有關(guān)的潛在問題。
純樣品技術(shù)
分析液體樣品的zui常用方法就是將一滴液體夾在兩片鹽片中間，過程如下：將一滴樣品滴于合適的鹽片上，幾秒鐘后，將另外一塊鹽片合上，這樣液體被夾在兩塊鹽片之間，變成薄膜狀。當然，選用的鹽片要與分析的液體樣品兼容。不含水的樣品可采用KBr（32×5mm）鹽片，含水樣品則采用KRS-5鹽片，這幾種晶體材料的選用主要是根據(jù)它們在紅外段的透光范圍（優(yōu)于4000－450cm-1）和穩(wěn)定性。每次一個樣品做好后，用帶合適的溶劑的棉花清洗，然后在倒有甲醇的鹿皮或雞皮上拋光。
KBr鹽片需要經(jīng)常進行拋光，以維持其表面的光潔。由于KRS-5晶體有毒，所有只有當其表面被劃傷或污染時才需要拋光，而且要求專業(yè)人員來完成。
ATR技術(shù)
水平的單反射ATR主要是由一個ZnSe晶體的凹槽組成，盡管ZnSe晶體的截止頻率為650－700CM-1，但它比其它寬頻帶的材料要更加耐用。
在樣品分析好后，要用適當?shù)娜軇悠窙_掉，再用棉花球擦洗干凈，這種材料不需要經(jīng)常拋光。
潛在問題：但它zui大的問題就是樣品譜圖的非線性，主要指峰位的位置和強度不滿足Beer－Lambert法則
A = abc 這里, A =吸收值
a =摩爾吸收系數(shù)
b = 光程
c =濃度
Beer-Lambert定理主要是針對定量分析的，譜圖檢索是定量分析的一種類型，因為譜圖檢索是以吸收強度為基礎(chǔ)的，透射實驗一般是線性關(guān)系，可以用于定量分析；由于ATR的技術(shù)特點導(dǎo)致的，ATR實驗一般不能用于定量分析。
zui常見的導(dǎo)致非線性的原因是透過樣品的光程不確定性。分辨率為2時，樣品區(qū)紅外光的聚焦點直徑有6MM，如果此時樣品區(qū)樣品厚度薄厚不均或碰巧有氣泡或，就會引起此處光程不同。
這些因素將導(dǎo)致譜圖在各個波段的吸收強度的不準確，換句話說，譜峰的強度比實際強度或者高或者低，從而降低譜圖檢索的質(zhì)量，圖1是純3,4-二氯甲苯的紅外吸收圖，在808 cm-1波段處的吸收強度為0.39，而鄰近870 cm-1處是0.24 （A808 cm-1/A870 cm-1 = 1.6）
圖2是同一個樣品但是通過在晶體上做成一層薄厚不均的膜而得到的譜圖，它的吸收率與上圖已經(jīng)有差別了，808 cm-1處的吸收率是0.76，而870 cm-1處卻為0.62（A808 cm-1/A870 cm-1 = 1.2），與圖1相比，已有25％的差距，這必然會導(dǎo)致譜圖檢索結(jié)果正確率的下降。將樣品聚焦點直徑為6mm時得到的圖與聚焦點直徑為3mm時得到的圖相減，用差譜的結(jié)果來進行分析：
由薄厚不均導(dǎo)致的非線性將會使差譜減不干凈，有很大的殘余峰，我們可以通過定期對晶體進行拋光來降低這種誤差。
經(jīng)常引起液體樣品譜圖的非線性的另一個原因是樣品的厚度。液樣太濃將會導(dǎo)致譜圖的吸收太強，而多數(shù)紅外儀器的檢測器的線性響應(yīng)范圍是0到1.2個吸收單元，大于1.2時就會引起線性問題。有時非線性會使譜圖中吸收峰的頭部成平頭狀，在我們的實驗室中只接受吸收單元1.2的譜圖，圖3也是上面提到的樣品的譜圖，但樣品的厚度卻遠遠大于前者。
譜圖中zui強的吸收單元已經(jīng)超過了30個吸收單元，808 cm-1處的吸收度為1.66，870 cm-1處為0.94（A808 cm-1/A870 cm-1 = 1.76），相比而言，產(chǎn)生了10％的誤差，這種不同波段的吸收值的相對性的差異將會給譜圖檢索帶來負面影響。
第三部分
成膜技術(shù)
涂膜技術(shù)是用在熔點低于72。C的樣品和低結(jié)晶度的樣品，比如象高聚物，涂膜法也可在其他方法失敗后試用。
涂膜的一般過程
先將樣品溶于適當?shù)娜軇┲?。然后將?shù)滴溶液滴于惰性的基質(zhì)上，溶液揮發(fā)后在基質(zhì)上留下一層薄膜。如果惰性基質(zhì)是紅外透明的，可直接檢測或?qū)⒈∧兿聶z測。
選擇合適的溶液
選擇溶液zui主要的標準是容易揮發(fā)（除了zui明顯的一點，可溶解樣品）。這意味著必須采用低沸點溶劑。蒸發(fā)溶劑所需的熱量越少，樣品所受的影響就越小。另外，溶劑越容易去除，殘留的溶劑越少。以下列出的溶劑將首先考慮：氯仿（BP. 61.2° C），丙酮（BP. 56.2° C），三氯乙醇（BP. 151° C），鄰二氯苯（BP. 180.5° C）和水（BP. 100° C）。在選擇成膜技術(shù)時這五種溶劑適用于85％的樣品。
純?nèi)芤旱墓庾V也應(yīng)準備著作為參照。將溶劑的譜圖與成膜樣品的譜圖作比較是判斷是否有溶劑殘留的一個好方法。每取用一次溶劑便將其參比譜圖更新一下也是一個好習慣。
選擇基質(zhì)
一般不將薄膜從基質(zhì)上取下，基質(zhì)和薄膜是一起放入光譜儀的。所以需要的是對紅外透明的基質(zhì)。除了溶劑是水采用KRS-5晶體外，一般zui常用的基質(zhì)是KBr晶體。如果決定將薄膜取下，玻璃將是不錯的選擇。
成膜
經(jīng)驗告訴我們使用少量的稀溶液（3－5滴），多次在基質(zhì)上形成薄膜，這將比用濃溶液形成的厚膜和大量的溶液一次成膜要好的多.這將使薄膜中的溶劑殘留zui少。
有時，當你成膜的是晶體樣品，譜圖上會顯示非常嚴重的散射和基線傾斜。這在單層成膜時經(jīng)常發(fā)生，在多層成膜時也會出現(xiàn)。我們認為這是因為zui先沉淀的晶體成為了形成大晶體的“晶核”，正是這些大晶體造成光的散射，使基線傾斜。在我們實驗室為了防止這種問題的發(fā)生，我們經(jīng)常在晶體的兩面都涂上一層薄膜，有時在兩塊晶體的兩面都涂上一層薄膜，一共形成四層膜。這個能解決絕大部分的散射問題。
在蒸發(fā)溶劑時，使晶體上的溶液保持流動。這將幫助您得到厚度均勻的膜。我們經(jīng)常將晶體放在一小片可反復(fù)使用的紙卡上（大約2”×3”），后不停的敲擊紙卡的背面，使溶液保持流動，或者用移液管末端不停的攪拌攪拌，如果去除溶劑需要加熱，而晶體又是水溶性物質(zhì)，比如KBr，那你應(yīng)該先加熱卡片，去除其中含有的水汽。如果你不這樣作，晶體的底部會吸水霧化，這將使你的譜圖的基線傾斜。在我們的實驗室，我們使用加熱燈來慢慢清除水汽，如果是在一個較為潮濕的環(huán)境中，應(yīng)該一直用燈加熱 以去除環(huán)境中水汽的影響。注意采取預(yù)防措施，尤其是在使用易燃溶劑時。
潛在問題
在成膜技術(shù)中zui嚴重的兩個問題是薄膜厚度不均勻和溶劑殘留。薄膜的厚度不均將導(dǎo)致譜圖的非線性。而在薄膜技術(shù)中應(yīng)該時刻注意溶劑殘留的問題?？偸菍⒌玫降淖V圖與溶劑譜圖的主峰作比較。如果結(jié)果顯示有溶劑殘留，有時可通過繼續(xù)加熱來去除溶劑。
如果你不能確定某個特征峰是溶劑還是樣品產(chǎn)生，那樣品必須用另一種方法檢測或使用另一種不會產(chǎn)生該特征峰的溶劑。
另一個可能產(chǎn)生的問題是，某些樣品在加熱和有氧氣的情況下易發(fā)生氧化。這將導(dǎo)致在1740 cm-1上有一個C=O 的小峰。
有幾種方法可以防止或減小這種氧化。在惰性氣氛中蒸發(fā)溶劑，比如在氮氣中，這樣可以減少氧氣的存在?；蚴菧p少加熱量來化小這個問題?？赡艿脑?，你可以使用更低沸點的溶劑，或用真空泵來抽取溶劑。
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